Mémoire KINGSTON 4GB DDR4 2666 Mhz CL19

KVR26N19S6/4 4GB 1Rx16 512M x 64-Bit PC4-2666 CL19 DIMM 288-Pin Suite >> CARACTÉRISTIQUES Ce document décrit la KVR26N19S6/4 de ValueRAM, un module mémoire 512M x 64-bit (4GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (Synchronous DRAM), 1Rx16, basé sur quatre composants FBGA 512M x 16-bit. Le SPD est programmé selon le timing de latence standard JEDEC DDR4-2666 de 19-19-19 à 1,2V. Chaque DIMM 288 broches utilise des doigts de contact en or. Les spécifications électriques et mécaniques sont les suivantes : CL(IDD) Temps de cycle de rangée (tRCmin) Temps de rafraîchissement à la commande active/de rafraîchissement (tRFCmin) Temps d'activation de rangée (tRASmin) Puissance maximale de fonctionnement Classement UL Température de fonctionnement Température de stockage 19 cycles 45.75ns(min.) 350ns(min.) 32ns(min.) TBD W* 94 V - 0 0o C à +85o C -55o C à +100o C Alimentation : VDD = 1,2V typique VDDQ = 1,2V typique VPP = 2,5V typique VDDSPD = 2,2V à 3.6V Terminaison nominale et dynamique sur puce (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masque Auto-rafraîchissement à faible puissance (LPASR) Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données Génération et calibration de VREFDQ sur puce EEPROM I2 à détection de présence série (SPD) à rang unique 8 banques internes ; 2 groupes de 4 banques chacun Burst chop (BC) fixe de 4 et burst length (BL) de 8 via le mode register set (MRS) Sélectionnable BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) Topologie Fly-by Terminated control command and address bus PCB : Hauteur 1.23 (31,25 mm) Conforme à la directive RoHS et sans halogène https://www.kingston.com/datasheets/kvr26n19s6_4.pdf